氮化硅陶瓷基板為何會成為第三代半導體器件的優(yōu)質封裝材料

隨著國家對半導體行業(yè)的大力支持，以及第三代半導體科技行業(yè)的快速發(fā)展，氮化硅陶瓷覆銅基板成為第三代半導體器優(yōu)質的封裝材料。今天小編就來分享一下，氮化硅陶瓷基板哪些優(yōu)勢能被第三代半導體選擇和應用。

一，氮化硅陶瓷基板有著與其他陶瓷基板獨特的優(yōu)勢

陶瓷基板材料憑借其極好的耐高溫、耐腐蝕、熱導率高、機械強度高、熱膨脹系數與芯片相匹配及不易劣化等特性成為大功率、高密度、高溫及高頻器件封裝的首選。目前應用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有：氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）和碳化硅（SiC）等。

近年來，電子電力器件朝大功率、高頻化、高密度、集成化等方向發(fā)展，對器件中陶瓷散熱基板提出了更高要求。與AlN和Al2O3陶瓷基板材料相比，Si3N4具有一系列獨特的優(yōu)勢：

1，和氧化鋁基板或氮化鋁基板相比，Si3N4約有兩倍以上的抗彎強度。在散熱量相同的情況下，Si3N4陶瓷基片即使做得更薄仍能滿足強度的要求；

2，Si3N4屬于六方晶系，有α、β和γ三種晶相，其中α相和β相是Si3N4最常見的形態(tài)，均為六方結構，可在常壓下制備。研究者根據Si3N4的結構提出β-Si3N4的理論熱導率高達200～320W/m·K。和氧化鋁基板或ZTA基板相比，擁有三倍以上的熱導率；

3，Si3N4抗氧化性比AlN強，可以水基處理，從而可大大降低成本；

4，Si3N4還具有常溫和高溫下一系列獨特優(yōu)異的物理、化學性能，如高韌性、耐熱沖擊性、良好的絕緣性、耐磨損和耐腐蝕等，且性能保持至溫度達到1000℃不明顯下降；

5，低熱膨脹系數，熱膨脹系數與大多數半導體材料（如SiC）匹配，因而使其器件的可靠性更優(yōu)異。

二，氮化硅陶瓷基板在第三代半導體器件的應用

Si3N4具有高導熱、高強度、高韌性、低密度、自潤滑性、優(yōu)異的抗熱震性，是國內外公認兼具高導熱、高可靠性等綜合性能最好的陶瓷基板材料，適用于IGBT、SiC等對大功率半導體器件等要求高可靠性的絕緣電路板用途。據ICRWorld數據顯示，得益于新能源車的快速發(fā)展，2026年，全球氮化硅陶瓷基板行業(yè)總產值預計達1.83億美元, 全球市場復合增長率達到8.16 %。可見氮化硅陶瓷基板的市場趨勢非常好，未來氮化硅陶瓷基板在第三代半導體領域的發(fā)展勢頭會越來越好，更多氮化硅陶瓷基板的相關問題可以咨詢金瑞欣特種電路，金瑞欣目前合作領域核心有半導體，尤其是第三代半導體領域，是以氮化硅陶瓷覆銅板加工為主的，也可以根據客戶需求蝕刻線路、鉆孔等加工要求。