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Si3N4-AMB陶瓷基板熱導率高于90W/mk，厚銅層具有較高熱容量以及傳熱性，同時AMB工藝可將厚銅金屬(800μm)焊接到相對較薄的氮化硅陶瓷上，形成高載流能力；
2023-02-27 http://www.79vwls.cn/Article/danhuaguiAMBjibanxin.html
氮化硅AMB陶瓷基板的制備流程 氮化硅陶瓷基板能量損耗、更容易小型化、更耐高溫高壓的優(yōu)勢在新能源汽車方面?zhèn)涫軞g迎，能起到提速、增加續(xù)航里程、汽車輕量化的目的；同時氮化硅AMB陶瓷基板還是SiC器件封裝基板的首選，傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求，DBC基板和氮化硅器件，在高溫過程中容易產生熱應力，導致銅層剝離，采用氮化硅AMB陶瓷基板能夠小避免。本文要闡述的是氮化硅AMB陶瓷基板的特點以及制備流程。 一，氮化硅AMB陶瓷基板的特點Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素（Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等）可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶瓷板上。通過活性金屬釬焊（AMB
2022-10-19 http://www.79vwls.cn/Article/danhuaguiAMBtaocijib.html
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