專注陶瓷電路板研發(fā)生產
樣板、中小批量陶瓷pcb線路板,24小時加急定制
全國定制熱線
4000-806-106
當前位置:首頁 »全站搜索 » 搜索:碳化硅模塊封裝
隨著電力電子器件向高溫、高電壓、高頻率和大電流方向快速發(fā)展。器件封裝的拓撲結構設計也逐漸朝著微型化及高功率密度方向演變。圖1為三菱SiC電力電子器件雙面封裝拓撲結構,其中與電力電子器件相匹配的封裝材料,無論是起支撐作用的電路板(金屬絕緣基板)、起電氣連接作用的互聯材料(燒結銀焊接)、起絕緣和環(huán)境保護作用的包封材料(環(huán)氧灌封料)還是起散熱作用的界面熱導材料,都對電力電子器件的電氣性能、抗電磁干擾特性、熱特性、器件的效率及可靠性等影響顯著,是電力電子器件領域除芯片本身之外的另一核心部分。典型的IGBT電力電子模塊的封裝結構如圖2所示,其中需要具備絕緣功能的材料主要包括:電氣隔離和支撐芯片用的電路板材料、隔絕空氣和保護芯片用的絕緣灌封材料、外殼材料以及填充熱沉和散熱底板間隙用的界面熱導材料。本文基于當前Si基和下一代
2023-03-03 http://www.79vwls.cn/Article/daorejueyuancailiaoz.html
? 2018 深圳市金瑞欣特種電路技術有限公司版權所有 技術支持:金瑞欣