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高溫共燒氮化鋁陶瓷多層基板適應功率MCM的要求 一，AIN氮化鋁陶瓷多層基板在功率MCM有廣闊的發(fā)展前景電子設備向輕型、小型化、高密度、高可靠性發(fā)展，多芯片組裝得到快速發(fā)展。多層布線技術是多芯片的核心技術之一，隨著組裝密度的提高，IC芯片集成的提高，多芯片組裝的密度也越來越大，功率MCM產生。功率MCM要求多層基板材料具有熱導率高、熱膨脹系數與硅接近等三個重要特征。AIN氮化鋁陶瓷因為具備熱導率高、熱膨脹系數與硅接近，力學強度高、電性能優(yōu)良等綜合型優(yōu)點。是功率MCM首先的基板材料和封裝材料。由于AIN與SI熱膨脹系數相接近、使得AIN基板與SI產生的熱應力小。AIN克服了三氧化二鋁與SI熱膨脹系數不匹配的缺點，采用AIN做基板具備更好的可靠性。由于AIN熱阻比三氧化二鋁低，所
2021-10-30 http://www.79vwls.cn/Article/gaowengongshaodanhua.html
高溫共燒HTCC陶瓷基板經過1500°以上高溫環(huán)境燒制，導熱率高、絕緣性好、機械強度也更強，在三大核心應用領域備受青睞。今天小編就來分享一下高溫共燒HTCC陶瓷基板應用三大領域。
2021-10-10 http://www.79vwls.cn/Article/gaowengongshaoHTCCta.html
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