磁控濺射鍍膜的優(yōu)劣勢

   磁控濺射技術20世界70年代發(fā)展以來獲得了迅速的發(fā)展和廣泛的應用，磁控濺射主要有以下優(yōu)勢和劣勢：

　　一，磁控濺射鍍膜技術的優(yōu)勢

1、沉積速度快、基材溫升低、對膜層的損傷??；

　　2、對于大部分材料，只要能制成靶材，就可以實現(xiàn)濺射；

　　3、濺射所獲得的薄膜與基片結合較好；

　　4、濺射所獲得的薄膜純度高、致密度好、成膜均勻性好；

　　5、濺射工藝可重復性好，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜；

　　6、能夠控制鍍層的厚度，同時可通過改變參數(shù)條件控制組成薄膜的顆粒大小；

　　7、不同的金屬、合金、氧化物能夠進行混合，同時濺射于基材上；

　　8、易于實現(xiàn)工業(yè)化。

　　二，磁控濺射鍍膜技術的劣勢

　　1、磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場迫使二次電子跳欄式地沿著環(huán)狀磁場轉圈。相應地，環(huán)狀磁場控制的區(qū)域是等離子體密度高的部位。在磁控濺射時，可以看見濺射氣體——氬氣在這部位發(fā)出強烈的淡藍色輝光，形成一個光環(huán)。處于光環(huán)下的靶材是被離子轟擊嚴重的部位，會濺射出一條環(huán)狀的溝槽。環(huán)狀磁場是電子運動的軌道，環(huán)狀的輝光和溝槽將其形象地表現(xiàn)了出來。磁控濺射靶的濺射溝槽一旦穿透靶材，就會導致整塊靶材報廢，所以靶材的利用率不高，一般低于40％；

　　2、等離子體不穩(wěn)定；

　　3、不能實現(xiàn)強磁性材料的低溫高速濺射，因為幾乎所有的磁通都通不過磁性靶子，所以在靶面附近不能加外加強磁場。

伴隨著磁控濺射技術的快速發(fā)展以及對高質量靶材的迫切需求，磁控濺射鍍膜技術需要不斷改進制靶技術以滿足用戶對高品質靶材的需求，在鍍膜過程中大限度的發(fā)揮磁控濺射技術的優(yōu)點，克服技術缺陷，終制備出成分均勻、性能優(yōu)異的薄膜。更多相關磁控濺射鍍膜可以咨詢金瑞欣特種電路。